全球首次!SK海力士官宣量产321层QLC NAND闪存 为解决大容量NAND可能出现的性能下降问题,公司还将芯片内独立操作单元(平面)的数量从4个增加到6个,从而实现更大的并行处理能力,明显提升了同时读取性能。 nand 海力士 sk qlcnand 海力士官宣 2025-08-25 21:53 1